Bifacial HJT PV-modul (halvskåret) 640W

M640-HJT-BD


Udgangseffekt når op på imponerende 640W; Bifacial effektivitet opnår bemærkelsesværdige 90 %. Leverer yderligere 25 % strømproduktionskapacitet fra bagsiden.Innovativ halvskåret celleteknologi minimerer strømtab. Forebygger effektivt PID & LID. Garanterer øget udbytte for PV-systemer.Fremragende lineær strømgaranti
Den årlige forringelse forbliver under 0,3 % i gennemsnit fra det andet år gennem de tredive år. Bevarer en effekt, der er mindst 5 % højere end P-type moduler efter 25 år.Forbedret sikkerhedsniveau;IP65 vandtæthed; Langsigtet vejrudholdenhed


SPECIFIKATION

Produktbeskrivelse

ELEKTRISK

KARAKTERISTIKA

Model/M640-HJT-BD

640W

Testtilstand: STC maksimal effekt (Pmax/W)

640

Driftsspænding (Vmpp/V)

38,35

Driftsstrøm (Impp/A)

16,69

Åbent kredsløbsspænding (Voc/V)

45,65

Kortslutningsstrøm (Isc/A)

17.50

Moduleffektivitet (%)

22,61

STC: lysstyrke 1000W/m², spektra ved AM1,5, celletemperatur 25°C

Output-tolerance: 0~+5W, testusikkerhed for Pmax: ±3 %

BAGSIDEN STRØMFORSTÆNDING
Pmax forstærkning

5%

10 % 15 %

20 %

25 %
Pmax/W

672

704 736

768

800
Vmpp/V

38,35

38,35 38,35

38,35

38,35
Impp/A

17,52

18.35 19.19

20.02

20,86
Voc/V

45,65°C

45,65 45,65

45,65

45,65
Isc/A

18.37

19.25 20.12

21.00

21,87

 

MEKANISK KARAKTERISTIKA
Solcelle HJT 210x105mm
Antal celler 120 (2x60)
Modulets dimensioner 2172x1303x33 mm (85,51x51,30x1,30 tommer)
Vægt 34,9 kg
Front glas 2,0 mm AR Coating Halvhærdet glas
Bagside glas 2,0 mm glaseret halvhærdet glas
Ramme Anodiseret aluminiumslegering
Forgreningsboks IP68, 3 bypass-dioder
Udgangskabler 4mm², 300mm(+)/300mm(-) eller tilpasset længde
Stik MC4

 

ANVENDELSE TILSTAND
Maksimal systemspænding DC1500V
Driftstemperatur -40°C~+85°C
Maximun serie sikring 30A
Sikkerhedsbeskyttelsesklasse Klasse II
Mekanisk belastning Forside 5400Pa, Bagside 2400Pa
Se Bifacialitetsfaktor 85 %±5 %

 

TEMPERATUR KARAKTERISTIKA
Temperaturkoefficient på Pmax -0,26 %°C
Temperaturkoefficient for Voc -0,22 %°C
Temperaturkoefficient for Isc +0,047 %°C
Nominel moduldriftstemperatur (NOCT) 42±2°C
M640-HJT-BD1
M640-HJT-BD2

Skriv din besked her og send den til os

relaterede produkter